Composants électroniques de circuit mémoire AS4C512M8D4A-75BINTR 78 TFBGA, service complet d'origine
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SDRAM-DDDR4Technologie
volatileType de mémoire
512 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,333 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR4
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge
1,333 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
POD
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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AS4C512M8D4A 75BINTRE
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