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Composants électroniques de circuit : Transistors BSC0403NSATMA1 PG-TDSON-8-7 – Service complet

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Caractéristiques

Référence fabricant

BSC0403NSATMA1

Marque nom

Original

Description

150 V, MOSFET canal N, niveau logique,

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TDSON-8-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSC0403NSATMA1
Marque nom
Original
Description
150 V, MOSFET canal N, niveau logique,
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TDSON-8-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS 5
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
150 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
70A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11 mOhms à 35 A, 10
Vgs (th) (Max) @ Id
4,6 V à 91 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 75 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
8V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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