Composants électroniques : Mémoire M58BW16FB5T3T TR 80 BQFP – Achetez en ligne avec notre service complet
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
512Kx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:2,5 V ~ 3,3 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512Kx32
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Tension D'alimentation
2,5 V ~ 3,3 V
Type de conditionnement
Ruban coupé (CT)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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1X1X1 cm
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