Composants électroniques : Mémoire MT46H256M32L4LE-48 WT:C 168 VFBGA – Achetez en ligne avec notre service complet
Note de la boutique :4.6
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Attributs
SDRAM - LPDDR mobileTechnologie
volatileType de mémoire
256 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:208 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:14,4 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
208 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
14,4 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
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0,5637 €
>= 3 100 pièce
0,2819 €
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MT46H256M32L4LE 48 WT : C
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