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Composants électroniques : Mémoire 24 CDIP 6116LA120TDB – Achetez en ligne avec notre service complet

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Attributs

Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:120 nanosecondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
120 nanosecondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
300 - 3 299 pièce
7,80 €
>= 3 300 pièce
3,90 €

Spécification

6116LA120TDB

Expédition

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