Composants électroniques : Mémoire S70KS1282GABHB020 24 VBGA – Achetez en ligne avec notre service complet
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Attributs
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Bus hyper
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
volatile
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
Bus hyper
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
2,45 €
>= 3 001 pièce
1,23 €
Options
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S70KS1282GABH020
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