Composants électroniques : Mémoire AS4C64M8D1-5BINTR 60 TFBGA – Achetez en ligne avec notre service complet
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Attributs
SDRAM-DDDRTechnologie
volatileType de mémoire
64Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 500 - 5 499 pièce
1,67 €
>= 5 500 pièce
0,8332 €
Options
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AS4C64M8D1 5 entrées
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