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Référence fabricant

STI34N65M5

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-281 (I2PAKFP)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STI34N65M5
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-281 (I2PAKFP)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
MDmesh V
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
28A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
110 mOhms à 14 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62,5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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