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Caractéristiques

Référence fabricant

IPU135N08N3 G

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO251-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPU135N08N3 G
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO251-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
13,5 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 33 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1730 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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