Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
24 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR5X mobile
Tension D'alimentation:1,01 V ~ 1,12 V
Fréquence de l'horloge:3,75 GHz
Organisation de la mémoire:768 million x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:LVSTL
