Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SGRAM-GDDR5
Tension D'alimentation:1,31 V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V
Fréquence de l'horloge:1,75 GHz
Organisation de la mémoire:256 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
