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Composants électroniques : Mémoire CY14B116N-ZSP45XI 54 TSOP – Achetez en ligne avec notre service complet

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Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau, plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1M x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
45 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
15 - 1079 pièce
18,95 €
>= 1080 pièce
9,48 €

Expédition

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