





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S














