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Composants électroniques de mémoire CY7C1019CV33-10ZXAT 32 SOlC, service complet d'origine

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
10 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
200 - 3199 pièce
1,38 €
>= 3200 pièce
0,6881 €

Expédition

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