Composants de service complet d'origine, mémoire électronique MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR 132 VBGA
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
4Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
4Gx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 000 - 3 999 pièce
7,95 €
>= 4 000 pièce
3,98 €
Options
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MT29F32G08ABCDBJ4 6IT : TR
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