Composants de service complet d'origine Mémoire électronique MT29F8G08ABBCAH4-AUT:C TR
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Attributs
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:-
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
-
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 000 - 3 999 pièce
2,81 €
>= 4 000 pièce
1,41 €
Options
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MT29F8G08ABBCAH4 AUT : C TR
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