Composants de service complet d'origine Électronique S25HS512TFANHB010 8 WDFN Mémoire à contact apparent
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Attributs
FLASH - NON (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
64Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
64Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 690 - 4 689 pièce
4,21 €
>= 4 690 pièce
2,11 €
Options
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S25HS512TFANHB010 : la clé de la réussite
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