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Composants électroniques de service tout-en-un originaux IMZA75R008M1HXKSA1 PG-TO247-4-U02 Transistors

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100-3 099 pièce
9,01 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

IMZA75R008M1HXKSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET en carbure de silicium

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO247-4-U02

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PG-TO247-4-U02
Description
MOSFET en carbure de silicium
Référence fabricant
IMZA75R008M1HXKSA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
CoolSiC
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
750 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
163A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7,2 mOhms à 90,3 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,6 V à 32,4 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 500 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6137 pF à 500 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V, 20V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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