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Composants électroniques de service tout-en-un originaux, transistors IPAN60R210PFD7SXKSA1 PG-TO220-FP

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100-3 099 pièce
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Caractéristiques

Référence fabricant

IPAN60R210PFD7SXKSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 16A TO220

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO220-FP

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO220-FP
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOSPFD7
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
16A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
210 mOhms à 4,9 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 240 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1015 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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