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Composants électroniques de service tout-en-un originaux IPB011N04NF2SATMA1 PG-TO263-3 Transistors

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100-3 099 pièce
1,27 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

IPB011N04NF2SATMA1

Marque nom

Original

Description

TRENCH <= 40V

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPB011N04NF2SATMA1
Marque nom
Original
Description
TRENCH <= 40V
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO263-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
StrongIRFET2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
43A (Ta), 201A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,15&nbsp;mOhm à 100&nbsp;A, 10&nbsp;V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,4 V à 249 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
315 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
15 000 pF à 20 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape &amp; Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

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