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Composants électroniques de service tout-en-un originaux Transistors BSZ16DN25NS3GATMA1 PG-TSDSON-8

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1,41 €
100-3 099 pièce
0,7062 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

BSZ16DN25NS3GATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TSDSON-8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PG-TSDSON-8
Description
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Référence fabricant
BSZ16DN25NS3GATMA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
250 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
10,9 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
165 mOhms à 5,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 32µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11,4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

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