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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
EasyPACK
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
2000V (2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
26,5 mOhms à 60 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,15 V à 34 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
234nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7240pF à 1,2 kV
Configuration
4 N-Channel
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
4 canaux N

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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