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EMB11FHAT2R

Marque nom

Original

Description

TRANS 2PNP 100MA EMT6

Point d'origine

China

Package/Boîte

SOT-563, SOT-666

Série

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
EMB11FHAT2R
Marque nom
Original
Description
TRANS 2PNP 100MA EMT6
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT-563, SOT-666
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
100mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
300 mV à 500 µA, 10 mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 à 5 mA, 5 V
Puissance Max
150mW
Résistance-socle (R1)
10 kΩ
Résistance-socle émetteur (R2)
10 kΩ
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de transistor
2 PNP - Pré-biasés (Double)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
150mW

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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