Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:Éclair
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 micros
Interface mémoire:PI
