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Référence fabricant

MSC180SMA120SDT/R

Marque nom

Original

Description

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MSC180SMA120SDT/R
Marque nom
Original
Description
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
mSiC
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
21A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
225 mOhms à 8 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
481 pF à 1,2 kV
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V, 20V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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