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Composants électroniques de pointe : Transistors IMBG65R083M1HXTMA1 PG-TO263-7-12 – Service complet

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Caractéristiques

Référence fabricant

IMBG65R083M1HXTMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET en carbure de silicium PG-TO263-

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-7-12

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IMBG65R083M1HXTMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET en carbure de silicium PG-TO263-
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO263-7-12
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
CoolSIC M1
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
28A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
111 mOhms à 11,2 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,7 V à 3,3 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
624 pF @ 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
unique poids brut
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