





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:120 MHz
Organisation de la mémoire:128 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:700 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S














