Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDR3L
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:800 MHz
Organisation de la mémoire:2Gx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
