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Composants électroniques de circuit intégré, service tout-en-un, transistors NTDV5804NT4G DPAK

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Référence fabricant

NTDV5804NT4G

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

DPAK

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTDV5804NT4G
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
DPAK
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
69A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
8,5 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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