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Composants électroniques de circuit intégré à service complet : Transistors à fils plats SI5513CDC-T1-E3 8-SMD

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Référence fabricant

SI5513CDC-T1-E3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SMD, broches plates

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI5513CDC-T1-E3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SMD, broches plates
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
3,1 W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A, 3.7A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
55 mOhms à 4,3 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4,2 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
285pF à 10V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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