





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR mobile
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Organisation de la mémoire:8M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle














