Composant électronique de service complet d'origine MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR 63 VFBGA Mémoire
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
256 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5125 €
>= 3 100 pièce
0,2563 €
Options
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MT29F4G16ABAFAH4 AITES : F TR
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