Composant électronique de service complet d'origine DS1225Y-200IND+ 28 Module DIP Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Composant électronique Bom ServiceCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:200 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
200 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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36 - 3 035 pièce
6,82 €
>= 3 036 pièce
3,41 €
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DS1225Y200IND+
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