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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Composants électroniques originaux, service à guichet unique, IPN60R1K5PFD7SATMA1 PG-SOT223-3 Transistors

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≥3 100 pièce

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Référence fabricant

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-SOT223-3

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PG-SOT223-3
Description
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Référence fabricant
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOSPFD7
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3,6 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,5 ohms à 700 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 40 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4,6 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
169 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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