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Composants électroniques originaux, service tout-en-un, transistors IPB156N22NFDATMA1 PG-TO263-3-2

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Référence fabricant

IPB156N22NFDATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-3-2

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PG-TO263-3-2
Description
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Référence fabricant
IPB156N22NFDATMA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS FD
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
220 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
72A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
15,6 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6930 pF à 110 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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