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Composants électroniques originaux, service tout-en-un, transistors IPB80N06S4L05ATMA2 PG-TO263-3-2

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Caractéristiques

Référence fabricant

IPB80N06S4L05ATMA2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-3-2

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPB80N06S4L05ATMA2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,1 mOhms à 80 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 60 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8180 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±16V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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