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Composants électroniques originaux, service tout-en-un, transistors IPD090N03LGATMA1 PG-TO252-3-11

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Caractéristiques

Référence fabricant

IPD090N03LGATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO252-3-11

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
-
Package/Boîte
PG-TO252-3-11
Description
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Référence fabricant
IPD090N03LGATMA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
40A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
9 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs