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Composant électronique Transistors GP2T040A120H TO-247-4, service complet d'origine

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100-3 099 pièce
5,15 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

GP2T040A120H

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC 1200V 40M TO-247-4L

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-4

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GP2T040A120H
Marque nom
Original
Description
MOSFET SiC 1200V 40M TO-247-4L
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-4
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
63A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
52 mOhms à 40 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3192 pF à 1 000 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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