Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de circuits électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:40 µs, 1,2 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
