Composants électroniques : Mémoire JS28F00AM29EWHB TR 56 TFSOP – Achetez en ligne avec service complet
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Attributs
FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
128M x 8, 64M x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:110 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128M x 8, 64M x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
110 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 600 - 4 599 pièce
2,53 €
>= 4 600 pièce
1,27 €
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JS28F00AM29EWHB TR
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