





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
24 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4X mobile
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:768 million x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL













