Composants électroniques : Mémoire Original One Stop Service 200 TFBGA W66AP6NBQAFJ TR – Achetez en ligne
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL11
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
LVSTL11
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 500 - 5 499 pièce
1,32 €
>= 5 500 pièce
0,6597 €
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W66AP6NBQAFJ TRA
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