





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-














