Composants électroniques de circuit original One Stop Service Memory 200 WFBGA MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR
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Attributs
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
512 millions x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 000 - 4 999 pièce
4,59 €
>= 5 000 pièce
2,30 €
Options
SélectionnerSpécification
MT53D512M16D1DS 046 AAT : D TR
Expédition
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