





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:20 MHz
Organisation de la mémoire:2Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI













