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Module de mémoire 32 DIP DS1245AB-120IND, composants électroniques, service tout-en-un

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100-3 099 pièce
0,2593 €
≥3 100 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

DS1245AB-120IND

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Taille de La mémoire

1Mbit

Point d'origine

China

Description

CI NVSRAM 1Mbit parallèle 32-EDIP

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
DS1245AB-120IND
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Taille de La mémoire
1Mbit
Point d'origine
China
Description
CI NVSRAM 1Mbit parallèle 32-EDIP
Type de conditionnement
Tube
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
Module 32-DIP (0,600", 15,24 mm)
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128K x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
120ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
NVSRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs