Composants électroniques : Mémoire 48 TFSOP M29W160EB70N6F TR – Service complet d'achat en ligne
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Attributs
FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
2M x 8, 1M x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2M x 8, 1M x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 500 - 4 499 pièce
0,5533 €
>= 4 500 pièce
0,2767 €
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M29W160EB70N6F TR
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