Composants électroniques de circuit TR, mémoire 54 TSOP NDS36PT5-16ET, service complet d'origine
Note de la boutique :4.6
(3 avis)
Attributs
mémoire SDRAMTechnologie
volatileType de mémoire
16Mx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:VTTL
Caractéristiques du produit
Technologie
mémoire SDRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
16Mx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Interface mémoire
VTTL
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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>= 1 000 pièce
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NDS36PT5 16ET TR
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