Composants électroniques : Mémoire 60 TFBGA MT46V16M16CY-6 IT:K TR – Achetez en ligne avec service complet
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Attributs
SDRAM-DDDRTechnologie
volatileType de mémoire
16Mx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:167 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
16Mx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge
167 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2,98 €
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MT46V16M16CY 6 IT : K TR
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