Composants électroniques : Mémoire 8 SOlC GD25WD80ETIGR – Service complet en ligne
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Attributs
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 µs, 6 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Organisation de la mémoire
1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 µs, 6 ms
Interface mémoire
SPI - Double E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
3 000 - 5 999 pièce
0,1533 €
>= 6 000 pièce
0,0767 €
Options
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GD25WD80ETIGR
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